今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准将计算与高速内存带宽结合 
，英特以及功率等方面取得平衡。专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，

虽然LPDDR更高效、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过尚未进入商业化阶段 。过去几年里，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。封装尺寸与HBM 4保持一致
。预计2030年前后实现商业化
。

根据英特尔的描述，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，但是也存在带宽不足的问题。相较于HBM ，容量也更大 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，更具可扩展性的处理 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBC提供了更快 、

从目标定位、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以及一个堆叠的存储芯片 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，不过现在部分产品改用了LPDDR，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，性能指标和商业化时间表来看，能够带来更高的带宽 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。采用3D堆叠芯片解决方案。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，后端金属互连层） ，XBM采用了后段晶体管设计，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。包括MoP， 详情